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三星、台积电已经先后宣布量产3nm工艺,台积电还特意举办了盛大的典礼。

台积电的命名为N3,号称5nm之后的一个全新工艺节点,可将密度增加70%,同等功耗下性能提升10-15%,同等性能下功耗降低25-30%。

三星的命名为3GAE,首次引入GAA全环绕栅极晶体管技术(初期版本)。

据半导体专业人士分析,台积电N3工艺目前的良品率低则60-70%,高则70-80%,与5nm工艺初期的水平类似。

对于刚投入量产的先进工艺来说,这已经是非常不错的良率水平,具备了大规模量产、供货的条件。

台积电还在开发N3E、N3P、N3S、N3X等不同版本,这也奠定了很好的基础。

相比之下,三星3GAE的初期良率要低得多,估计在10-20%左右,而且一直没有明显改善,芯片质量也参差不齐。

当然,以上数字都是业界估测,台积电、三星都不可能公布具体数字,只能走着瞧了。

不过,三星工艺拉胯也不是一次两次了。

3nm来临!台积电良率可达80%!三星渣得没法看

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